绝缘片(SOI) 为了提高集成电路的集成度和速度,降低功耗必须缩小器件的尺寸。但当器件的尺寸缩小到亚微米范围以内时,常规的结构就不适应了,从而导致SOI( Silicon On Insulator或Semi- conductor On Insulator)结构的发展,也就是把器件制作在绝缘衬底上生长的硅单晶层上。SOI结构开始是针对亚微米CMOS
单晶硅棒什么是硅棒?什么是单晶硅棒?多晶硅通过直拉法CZ或者区熔法FZ长晶得到的棒状单晶硅材料。一般的硅棒均指单晶硅棒,如果是多晶结构的“硅棒”,我们一般称之为多晶硅碇。单晶硅棒按直接大小可以分成2英寸、3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸和18英寸,目前市场主流是8英寸和12英寸。单晶硅棒是生产硅片的原材料,其质量好坏,缺陷多少直接影响到硅片的质量。硅片碳含量和氧含量的高低、电阻率均
区熔硅片什么是区熔硅片?区熔硅片就是通过区熔法(Float Zone)长晶得到区熔单晶硅棒,然后把单晶硅棒加工成硅片,叫做区熔硅片。区熔硅片由于在长晶的过程中没有跟石英坩埚接触,硅材料处于悬浮状态,因此长晶过程中受污染少。碳含量和氧含量更低,杂质更少,电阻率更高,适用于功率器件和某些耐高压电子器件的制造。区熔硅片在长晶过程中,通常不会像直拉法那样掺入杂质元素硼(Boron)或者磷(Phos),因此